美法官驳回三星、SK海力士与美光 DRAM 反垄断集体诉讼撤诉动议

• 发布归档：美东 2026-11-15 00:38 ET（05:38 UTC）

一句话总结： 美国加州北区联邦地区法院法官 Noël Wise 于 2026 年 11 月 14 日（美东时间）驳回三星电子、SK 海力士与美光科技的联合撤诉动议，指控三家合谋限制通用 DRAM 供应、推高价格的集体诉讼将进入证据开示阶段；被告须于 2026 年 12 月 7 日前提交答辩。

核实状态： ✓ 美国联邦地区法院公开裁决（Garciaguirre v. Samsung Electronics，案号 5:26-cv-06345-NW）；裁决书内容经 litnews.ai 全文引述，2026 年 11 月 13 日听证与卷宗进展经 AIStockWire 依据法院卷宗交叉核实；路透社、彭博社暂未见相关报道。

核心事实与定量预期差：

本案由 17 名消费者与小企业于 2026 年 6 月 25 日提起，指控三星电子、SK 海力士与美光科技自 2022 年底起协调削减通用 DRAM 产量、将产能转向高带宽存储器（HBM），并于 2025 年 4 月至 6 月陆续宣布退出主流 DDR4 产品线。诉状称，三家合计占 2025 年第三季度全球 DRAM 收入的 91% 以上，并称 18 个月内通用 DRAM 价格上涨约 697%——上述两项数字均为原告主张，未经法庭证实。

被告于 2026 年 9 月 2 日联合提交撤诉动议，主张本案与 2022 年被第九巡回上诉法院维持驳回的 DRAM II 案相同。法官 Wise 在 2026 年 11 月 13 日听证后，于 11 月 14 日书面裁决驳回动议，认定诉状已合理指控三家存在协议，违反《谢尔曼法》第 1 条。法官同时支持被告的部分主张：仅凭转向 HBM 不足以推断合谋、DDR3 指控不成立、公开表态不足为据。

需要说明的是，驳回撤诉动议只是程序性裁决：法官须将诉状指控视为真实，合谋本身尚未得到证实，三家亦未被认定承担任何责任。诉状寻求集体诉讼认证、禁令救济与三倍损害赔偿，具体索赔金额未公开量化。

产业链与市场二阶传导： 本案直接检验存储行业的核心叙事：三家原厂称短缺源于人工智能需求激增与 HBM 产能挤占，而原告主张短缺系协调限产所致。案件进入证据开示后，三家关于产能分配、客户配额与定价的内部文件可能被调取，其内容将成为市场判断短缺成因的关键变量。

若原告最终胜诉或达成和解，三倍赔偿与禁令救济可能约束三家未来的产能分配；但目前仅为程序性进展，不改变任何已公布的产能计划。对下游而言，DRAM 采购成本争议获得司法程序背书；苹果已在 11 月 3 日电话会称存储定价“前所未有”，并预计存储供应将限制假日季部分产品供应。

下一步验证节点：

• 2026 年 12 月 7 日（美东时间）：三家被告提交答辩截止日，将首次呈现被告对各项指控的正式回应。
• 2027 年 1 月 12 日 09:00 美东时间 / 14:00 UTC：首次案件管理会议，届时将确定证据开示范围与时间表。

来源：

• litnews.ai：法官拒绝驳回三星、SK 海力士与美光 DRAM 供应合谋诉讼（发布时间：2026-11-14，美东时间；原报道未注明具体时刻）
• AIStockWire：三星、SK 海力士与美光 DRAM 诉讼进展追踪（更新于 2026-11-13，美东时间）
• CourtListener：Garciaguirre v. Samsung Electronics 案卷宗（案号 5:26-cv-06345-NW）

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